力森诺科（中国）投资有限公司
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MCL-E-770G(LH)
该材料适用于PoP, CSP构造的半导体封装基板。
| 项目 | 条件 | 单位 | MCL-E-770G(LH) | MCL-E-770G | |
|---|---|---|---|---|---|
| 玻璃态转化温度(Tg) | TMA | ℃ | 260～280 | 260～280 | |
| 热膨胀系数 | X,Y | α1 | ppm/℃ | 1.5～2.0 | 4～6 |
| α2 | 0～1.0 | 1～2 | |||
| Z | α1 | 8～13 | 13～18 | ||
| α2 | 70~90 | 90~110 | |||
| 弯曲模量 | A | GPa | 34～36 | 30～32 | |
| 半加成制程积层耐热性 | 260℃reflow | cycle | >20 | >20 | |
| 相对介电常数(Dk) | 1GHz※1 | - | 3.9~4.1 | 4.1~4.3 | |
| 介电损耗角正切(Df) | 1GHz※1 | - | 0.004～0.006 | 0.004～0.006 | |
※1 Measured by Triplate-Line Resonator
* Package size：14×14mm
* Chip size：7.3×7.3mm
* Chip thickness：150μm
* Underfill thickness：60μm
* Solder Resist：20μm
* Core Thickness：200μm+
PPG1024(S-glass)
<Measurement Conditions>
/ Method：Triplate-line resonator by vector network analyzer(IPC-TM-650_2.5.5.5)
/ Temperature&Humidity:25℃/50%RH
/ Laminate thickness:1.6mm(signal-ground distance:800μm), copper foil:18μm
/ Signal conductor line width:1mm(Zo:approx.50Ω)
适用于半导体封装基板、积层内层芯材等
