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力森诺科(中国)投资有限公司

Resonac Holdings Corporation/Resonac Corporation
项目 条件 单位 MCL-E-679
Type(W)
MCL-E-679F
Type(J)
MCL-E-679F
Type(R)
MCL-E-679FG
Type(S)
Tg TMA 173~183 170~175 160~170 175~185
DMA 205~215 195~205 190~200 210~330
CTE X 30~120℃ ppm/℃ 12~15 12~15 12~14 12~14
Y 14~17 14~17 12~14 12~14
Z <Tg 50~60 35~45 20~30 20~30
>Tg 200~300 180~240 130~160 130~160
铜箔剥离
强度
18μm A kN/m 1.2~1.4 1.1~1.4 1.1~1.2 1.1~1.2
35μm 1.5~1.7 1.4~1.6 1.2~1.3 1.2~1.3
焊接耐热性
(260℃)
A sec. 300以上 300以上 300以上 300以上
弯曲模量
(纵向)
A GPa 24~26 25~31 27~33 24~29
相对介电
常数(DK)
1MHz C-96/20/65 - 4.7~4.8 4.6~4.8 4.8~5.0 5.0~5.2
1GHz 4.2~4.3 4.2~4.4 4.5~4.7 4.7~4.9
介电损耗角
正切(Df)
1MHz C-96/20/65 - 0.0130~0.0150 0.0110~0.0130 0.0080~0.0100 0.0080~0.0100
1GHz 0.0210~0.0220 0.0170~0.0190 0.0130~0.0150 0.0140~0.0160
特点 高Tg 高Tg、
高耐热
高Tg、
低CTE
无卤素、
高弹性、
低CTE
项目 条件 单位 MCL-E-679GT MCL-E-700G
Type(R)
MCL-E-700G
Type(RL)
Tg TMA 165~175 250~270 250~270
DMA 200~220 295~305 295~305
CTE X 30~120℃ ppm
/℃
11~13 7~9 5~7
Y 11~13 7~9 5~7
Z <Tg 20~30 15~25 15~25
>Tg 110~140 90~120 90~120
铜箔剥离
强度
18μm A kN
/m
1.0~1.2 0.9~1.1 0.9~1.1
35μm 1.1~1.3 1.0~1.2 1.0~1.2
焊接耐热性(260℃) A >300 >300 >300
弯曲模量(纵向) A GPa 24~29 32~34 34~36
相对介电
常数(Dk)
1MHz C-96/20/65 - 4.8~5.0 4.8~5.0 4.6~4.8
1GHz 4.6~4.8 4.6~4.8 4.2~4.4
介电损耗
角正切(Df)
1MHz C-96/20/65 - 0.0050~0.0070 0.0080~0.0100 0.0080~0.0100
1GHz 0.0120~0.0140 0.0090~0.0110 0.0100~0.0120
特点 无卤素、
高弹性、低CTE
无卤素、
高弹性、低CTE
无卤素、
高弹性、低CTE
项目 条件 单位 E-705G E-705G
Type(L)
E-705G
Type(LH)
Tg TMA 250~270 250~270 250~270
DMA 295~305 295~305 295~305
CTE X 30~120℃ ppm/℃ 5~7 3~4 2.5~3.5
Y 5~7 3~4 2.5~3.5
Z <Tg 10~15 10~15 10~15
>Tg 70~90 70~90 70~90
铜箔剥离
强度
18μm A kN/m 0.9~1.1 0.9~1.1 0.9~1.1
焊接耐热性(260℃) A 300以上 300以上 300以上
弯曲模量(纵向) A GPa 32~34 34~36 37~39
相对介电
常数(Dk)
1MHz C-96/20/65 - 4.5~4.7 4.3~4.5 4.3~4.5
1GHz 4.2~4.4 4.0~4.2 4.0~4.2
介电损耗
角正切(Df)
1MHz C-96/20/65 - 0.006~0.008 0.006~0.008 0.006~0.008
1GHz 0.007~0.009 0.007~0.009 0.007~0.009
特点 无卤素、
高弹性、低CTE
无卤素、
高弹性、低CTE
无卤素、
高弹性、低CTE
项目 条件 单位 E-770G E-770G
Type(LH)
Tg TMA 260~280 260~280
DMA 320~340 320~340
CTE X 30~120℃ ppm/℃ 4~6 1.5~2.0
Y 1~2 0~1
Z <Tg 13~18 8~13
>Tg 90~110 70~90
铜箔剥离
强度
18μm A kN/m 0.6~0.8 0.6~0.8
焊接耐热性(260℃) A sec 300以上 300以上
弯曲模量(纵向) A GPa 30~32 34~36
相对介电
常数(Dk)
1MHz C-96/20/65 - 4.4~4.6 4.2~4.4
1GHz 4.1~4.3 3.9~4.1
介电损耗
角正切(Df)
1MHz C-96/20/65 - 0.003~0.005 0.003~0.005
1GHz 0.004~0.006 0.004~0.006
特点 无卤素、
高弹性、低CTE
无卤素、
高弹性、低CTE